Описание продукта
концентрирующая ячейка с тройным соединением с эффективностью 40 %;
структура GalnP₂/InGaAs/Ge, стабильная производительность;
Многослойное просветляющее покрытие, низкая отражательная способность в диапазоне 300–1800 нм;
Пакет усиления (антибликовая пленка, оптимизированная для вторичных зеркал);
Может стабильно работать при солнечном свете в 500–1000 раз;
Оптимизированный затворный электрод для повышения выходной эффективности;
Можно сваривать с обеих сторон;
Размер батареи может быть разработан в соответствии с требованиями заказчика;
Может нормально работать в суровом климате;
Мощность: 3 МВт/месяц.
Характеристики батареи
| Материалы аккумуляторов | GalnP₂/InGaAs/Ge |
| Антибликовое покрытие. | TiOx/Al₂O₃ |
| Размер чипа | 11 * 10.2mm² ± 0.01mm² |
| Эффективная площадь | 100 mm² |
| Толщина стружки | 175 ± 20μm |
| Полярность батареи | N-P |
| Передний электрод | ~6 μm |
| Задний электрод | ~4 μm |
Типичная кривая Ⅰ-Ⅴ при 500-кратной концентрации.
Оптоэлектронные свойства
| кратная концентрация | Isc(A) | Voc(V) | Imp(A) | Vmp(V) | FF | Eff. |
| X 500 | 7.563 | 3.121 | 7.289 | 2.823 | 87.18% | 41.15% |
| X 1000 | 15.015 | 3.235 | 14.502 | 2.782 | 83.06% | 40.34% |
Условия измерения: AM1.5G,T= 25℃,50W/cm²(x500),100W/cm²(X1000)
В концентрированных солнечных элементах используются выпуклые линзы или параболические зеркала для фокусировки солнечного света в несколько, десятки, сотни или даже тысячи раз, а затем проецирования его на солнечный элемент. В это время солнечный элемент может производить соответствующую кратную электрическую мощность. Их преимущества заключаются в высокой скорости преобразования, небольшом объеме батареи и низком расходе расходных материалов. Типичным аккумулятором-концентратором высокой мощности является арсенид-галлиевая батарея с тремя переходами.
Высокая эффективность фотоэлектрического преобразования: высокая теоретическая эффективность преобразования.
Широкий спектр поглощения: Полный спектр поглощает 95% солнечной энергии и генерирует электричество даже при слабом освещении.
Термостойкость: он может нормально работать при температуре 390 ℃ и не чувствителен к высоким температурам.
Процесс производства с низким энергопотреблением: одна пятая от процесса изготовления фотоэлектрических элементов из кристаллического кремния.
Арсенид галлия:(Химическая формула: GaAs) представляет собой соединение, синтезированное из двух элементов: галлия и мышьяка. Это также важный полупроводниковый материал IIIA и VA.
Концентрированные солнечные фотоэлектрические элементы — это [Фотоэлектрический концентратор] + [Высококонцентрирующая зеркальная линза Френеля] + [Sun Tracker (Sun Tracker)], эффективность преобразования солнечной энергии может достигать от 31% до 40,7%. Хотя эффективность преобразования высока, он используется в космической отрасли из-за длительного времени пребывания на солнце. Теперь его можно использовать в электроэнергетике с помощью солнечных трекеров. Основным материалом концентрированных солнечных фотоэлектрических элементов является концентрированный арсенид галлия (GaAs), который представляет собой материал III-V, то есть элемент из арсенида галлия с тройным переходом, концентрирующий свет. В отличие от солнечной технологии на кремниевых пластинах, многопереходные составные полупроводники могут поглощать энергию более широкого солнечного спектра, а также энергию с длинами волн от 400 до 1200 нм в солнечном спектре. В настоящее время разработаны трехпереходные солнечные элементы-концентраторы InGaP/GaAs/Ge, которые могут значительно повысить эффективность преобразования, а термостойкость солнечных элементов-концентраторов выше, чем у обычных пластинчатых солнечных элементов.
Сравнение коэффициентов преобразования энергии:
Тонкопленочная солнечная энергия (7–12%), пластинчатая солнечная энергия (12–20%), традиционная атомная электростанция (30%), производство тепловой энергии (36,8%), концентрированная солнечная энергия (31–40,7%), новая атомная электростанция (42–57%)