SiC辐伏芯片 / β伏换能器件 · SiC Betavoltaic Converters
将β粒子能量直接转换为电能的半导体器件，支持源条件匹配与定制结构咨询。
| 参考芯片尺寸 | 10 × 10 mm |
|---|---|
| 参考有效面积 | 7.6 × 7.6 mm |
| 参考芯片厚度 | 350 µm |
| 定制方向 | 100–200 µm超薄结构与异形尺寸 |
| 源条件设计 | H-3、Ni-63、C-14；需按具体型号分别匹配 |
源种类与出射能谱、活度或入射功率、受照面积、尺寸、封装及目标负载。
| 电子束测试 · 17 kV / 1 nA | Pmax 3.08 µW；效率18.1% |
|---|---|
| 电子束测试 · 30 kV / 1 nA | Pmax 7.40 µW；效率24.7% |
| Ni-63源测试 | Pmax密度18 nW/cm²；效率约7%，以257 nW/cm²表面出射功率为分母 |
电子束与实际放射源结果分别适用，不作为C-14含源整机效率。数据来自配套技术资料，非FULLSUNS独立测量。
参考数据与具体测试条件对应，最终规格、配置和交付范围按项目确认。
